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Vishay发布新款20VP沟道MOSFET具有48m低导通电阻万芳

发布时间:2020-02-14 12:36:14 阅读: 来源:搅拌站除尘器厂家

Vishay发布新款20V P沟道MOSFET 具有4.8mΩ低导通电阻

Si7655DN的应用将包括工业系统中的负载开关和热插拔,适配器、电池和充电电路中的负载开关,智能手机、平板电脑和其他移动计算设备中的电源管理。Si7655DN还可以用于固话电信、蜂窝电话基站和服务器/计算机系统中的冗余开关、OR-ing和监管应用。

利用新的PowerPAK 1212封装型号和Vishay Siliconix业内领先的P沟道Gen III技术,Si7655DN具有3.6m (-10V)、4.8m (-4.5V)和8.5m (-2.5V)的最大导通电阻。这些性能规格比最接近的-20V器件提高17%或更多。

Si7655DN的低导通电阻使设计者能够在电路中实现更低的压降,更有效地使用电能,让电池运行的时间更长,且3.3mm x 3.3mm x 0.75mm PowerPAK 1212-8S封装将有助节省宝贵的空间。

Si7655DN是Vishay的TrenchFET Gen III P沟道MOSFET系列中的最新成员。有关TrenchFET Gen III系列的更多信息,见www.vishay.com/doc?49996。

新的Si7655DN现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

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